固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

无需在隔离侧使用单独的电源，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

此外，以支持高频功率控制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。在MOSFET关断期间，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

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